填空題JFET是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制,來改變()的寬窄,從而控制漏極電流的大??;而MOSFET則是利用柵源電壓的大小,來改變半導體表面()的多少,從而控制漏極電流的大小。
您可能感興趣的試卷
最新試題
單穩(wěn)態(tài)電路輸入一個脈沖后會輸出()個脈沖。
題型:單項選擇題
接收機中的揚聲器(耳機)是()的負載。
題型:單項選擇題
中頻放大器的諧振曲線越接近矩形,說明()。
題型:單項選擇題
3個輸入端的加法器,只用了兩個端,不用的一端應()。
題型:單項選擇題
對于半導體材料,隨溫度升高:()
題型:單項選擇題
甲類放大器與其它類放大器相比,()。
題型:單項選擇題
要想進行幅度調(diào)制,必須利用電子器件的非線性,這些器件是()。
題型:單項選擇題
當混頻器輸入信號的頻率增高一倍時,輸出中頻信號頻率()。
題型:單項選擇題
()不需要加觸發(fā)信號就會產(chǎn)生輸出。
題型:單項選擇題
過壓狀態(tài)的工作特性是()
題型:單項選擇題