A.3H
B.5H
C.6H
D.7H
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A.1.732
B.1
C.1.414
D.1/1.732
A.1
B.1.732
C.1.414
D.1/1.732
A.1
B.1.732
C.1.414
D.1/1.732
A.1倍
B.1.414倍
C.1.732倍
D.3倍
A.常數(shù)
B.隨時(shí)間的變化而變化
C.0
D.以上都不對
最新試題
一個(gè)線性非時(shí)變單口網(wǎng)絡(luò),開路電壓6V,短路電流1A。外接一個(gè)()電阻可從單口網(wǎng)絡(luò)獲得最大功率,最大功率是()。
測試低通濾波器的幅頻特性曲線時(shí),此處假設(shè)截止頻率是大于500Hz的,如下哪種說法不正確?()
測量電容元件的電壓電流相位關(guān)系時(shí),示波器測量波形如圖所示,下面哪種說法正確?()
?圖示電路的uS(t)=2cos(t+30°)V,則電壓uS(t)與電壓uC(t)的相位差等于()。
如圖是MOSFET電路測試時(shí)晶體管毫伏表的截圖,以下更準(zhǔn)確的是()。
?測量放大器靜態(tài)工作點(diǎn)時(shí),以下說法錯(cuò)誤的是()。
圖示電路中,要使電流I增大到3I,則21Ω的電阻應(yīng)換為()。
圖正弦穩(wěn)態(tài)電路,已知u(t)=10cos(t+15°)V,i(t)=2sin(t+45°)A則電路N吸收的平均功率P等于()。
關(guān)于毫伏表,下列說法正確的是()。
一個(gè)1V直流電壓源對一階零狀態(tài)RC電路充電一個(gè)τ后,再放電一個(gè)τ,此時(shí)電容電壓為()。