單項選擇題DRAM2116結(jié)構(gòu)圖中增加了刷新計數(shù)器的目的是()。
A.周期為每列存儲單元刷新
B.周期為每行存儲單元刷新
C.周期進行行譯碼
D.周期讀/寫數(shù)據(jù)
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1.單項選擇題單管DRAM位線上的分布電容電荷大,降低了存儲高電平的電位,僅達到(),因此需要增加靈敏恢復/放大電路放大電壓,達到高電平的值。
A.0.1V
B.0V
C.0.2V
D.1V
2.多項選擇題四管動態(tài)存儲單元電路不需要靈敏恢復/放大電路的原因是()。
A.輸出高電平的電位足夠高
B.輸出低電平的電位足夠高
C.電容可以存儲電荷
D.用鎖存器的輸出存儲電平
3.單項選擇題QDR SDRAM為()。
A.同步動態(tài)隨機存儲器
B.異步靜態(tài)隨機存儲器
C.2倍速同步隨機存儲器
D.4倍速同步動態(tài)隨機存儲器
4.單項選擇題可變模計數(shù)器,或者其他多變化控制電路可用()輸入條件改變。
A.編程
B.自動
C.移位寄存器的輸出
D.復位
5.單項選擇題基于MSI時序電路子模塊劃分的依據(jù)是()。
A.功能
B.輸入/輸出
C.時序電路
D.組合電路
E.以上都是
最新試題
?這個電路中出現(xiàn)的門有哪幾種?()
題型:多項選擇題
D點有幾條支路?()
題型:單項選擇題
組合邏輯電路設(shè)計的一般步驟包括()。
題型:多項選擇題
基本鎖存器的約束條件是()。
題型:單項選擇題
?二極管在數(shù)字電路中工作在哪些狀態(tài)?()
題型:多項選擇題
集成同步二進制計數(shù)器74LVC161的TC端口輸出高電平時,說明此時計數(shù)器發(fā)生進位操作。
題型:判斷題
編碼器CD4532中,當輸出為000時,還需要通過()端口是否為高電平來判斷是否為正常編碼輸出。
題型:單項選擇題
某觸發(fā)器的特性方程為Qn+1=,這是一個()觸發(fā)器。
題型:單項選擇題
時序邏輯電路的結(jié)構(gòu)特征有()。
題型:多項選擇題
數(shù)值比較器的擴展方式有串聯(lián)和并聯(lián)兩種,其中并聯(lián)連接方式比串聯(lián)連接方式運行速度快,但需要更多的芯片來構(gòu)成。
題型:判斷題