單項選擇題DRAM2116結(jié)構(gòu)圖中增加了刷新計數(shù)器的目的是()。

A.周期為每列存儲單元刷新
B.周期為每行存儲單元刷新
C.周期進行行譯碼
D.周期讀/寫數(shù)據(jù)


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2.多項選擇題四管動態(tài)存儲單元電路不需要靈敏恢復/放大電路的原因是()。

A.輸出高電平的電位足夠高
B.輸出低電平的電位足夠高
C.電容可以存儲電荷
D.用鎖存器的輸出存儲電平

3.單項選擇題QDR SDRAM為()。

A.同步動態(tài)隨機存儲器
B.異步靜態(tài)隨機存儲器
C.2倍速同步隨機存儲器
D.4倍速同步動態(tài)隨機存儲器

4.單項選擇題可變模計數(shù)器,或者其他多變化控制電路可用()輸入條件改變。

A.編程
B.自動
C.移位寄存器的輸出
D.復位

5.單項選擇題基于MSI時序電路子模塊劃分的依據(jù)是()。

A.功能
B.輸入/輸出
C.時序電路
D.組合電路
E.以上都是