靜態(tài)存儲器一般采用 正反饋的存儲機理 而動態(tài)存儲一般采用基于電荷的存儲機理
仔細觀察下面RS觸發(fā)器的版圖,判斷它是或非門實現(xiàn)還是與非門實現(xiàn)。
與非門
或非門
用圖說明 如何給SR鎖存器加時鐘控制。
最新試題
淀積擴散主要受哪些因素的控制?
若在直流電路中硅二極管導通,則其導通電壓均可認為0.7V。
列出并解釋替位雜質在硅中的三種主要擴散機制。
試說明橫向擴散以及橫向擴散的主要影響。
理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大,因此不能使用。
什么是擴散的相互作用?試舉一例說明其對半導體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
二極管只能通過直流電,不能通過交流電。
發(fā)射區(qū)推進效應
薄層電阻
在P 型半導體中,空穴濃度大于自由電子濃度。