與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。

自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)

明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。

關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）

什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）

點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。