問(wèn)答題試畫出MOS器件跨導(dǎo)與源漏電壓的函數(shù)曲線。

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BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

題型：多項(xiàng)選擇題

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

題型：?jiǎn)柎痤}

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

題型：?jiǎn)柎痤}

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

題型：?jiǎn)柎痤}

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。

題型：多項(xiàng)選擇題

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

題型：?jiǎn)柎痤}

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

題型：?jiǎn)柎痤}

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

題型：?jiǎn)柎痤}