多項選擇題從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
A.碳加熱
B.生產(chǎn)三氯硅烷
C.西門子反應(yīng)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
A.CMOS
B.雙極技術(shù)
C.nMOS
2.多項選擇題MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
A.nMOS(n溝道)
B.pMOS(p溝道)
C.mMOS(m溝道)
3.單項選擇題由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲存電容
4.多項選擇題集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過雜質(zhì)擴散到襯底的特定區(qū)域中
5.多項選擇題半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物
最新試題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:問答題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:問答題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:單項選擇題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:問答題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點。
題型:問答題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響?
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計上采取哪些措施?
題型:問答題