電路如圖所示，D為硅二極管，V_DD＝2V，R＝1kΩ，正弦信號v_s＝50sin（2π×50t）mV。
（1）靜態(tài)（即v_s＝0）時，求二極管中的靜態(tài)電流和v_o的靜態(tài)電壓；
（2）動態(tài)時，求二極管中的交流電流振幅和v_o的交流電壓振幅；
（3）求輸出電壓v_o的總量。

二極管穩(wěn)壓電路如圖所示。
（1）近似計算功率管的耗散功率P_Z，并說明在何種情況下，P_Z達到最大值或最小值；
（2）計算負載吸收的功率；
（3）限流電阻R所消耗的功率為多少？

電路如圖所示，輸出在兩個二極管的基礎上再增加一個二極管，以提高輸出電壓。
（1）利用硅二極管恒壓模型求電路的I_D和V_o＝？
（2）在室溫300K下，利用二極管的小信號模型求V_o的變化范圍。
（3）在輸出電壓端外接一負載R_L＝1kΩ，問輸出電壓的變化范圍如何？

電路如圖所示，設V_i＝6sinωbV，試繪出輸出電壓V_o的波形。設D為硅二極管，使用恒壓降（0.7V）模型和折線模型（V_th＝0.6V，r_D＝40Ω）進行分析。