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A.電壓放大倍數(shù)高
B.輸出電流小
C.輸出電阻增大
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
A.Vcc/2
B.Vcc/2-UCES
C.2Vcc
A.0.5Pom
B.0.4Pom
C.0.2Pom
A.線性失真
B.飽和失真
C.截止失真
最新試題
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核?()
?6位7段數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示模塊如圖,要求人眼看到所有數(shù)碼管同時(shí)顯示各自對(duì)應(yīng)的數(shù)字,控制數(shù)碼管位選信號(hào)的動(dòng)態(tài)掃描時(shí)鐘信號(hào)頻率約為多少?()
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
CD放大器因?yàn)樵礃O輸出信號(hào)幾乎與柵極輸入信號(hào)變化一致,因此被稱為“源極跟隨器”。
當(dāng)VGS=0時(shí),能夠?qū)ǖ腗OS管為()
用作電壓放大器時(shí),CS放大器不合適的參數(shù)為()。?
以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)??()
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進(jìn)行模塊范圍的定義,VerilogHDL的模塊范圍的定義的開始和結(jié)束方式是()。
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí),柵極直流電壓將會(huì)(),漏極直流電流將會(huì)(),輸入電阻將會(huì)()。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。