A.00001101
B.00010011
C.00100011
D.0001011
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A.可控硅承受反向電壓時(shí)將繼續(xù)導(dǎo)通
B.可控硅易損壞
C.當(dāng)可控硅承受反向電壓時(shí)將關(guān)斷
D.可控硅損耗電能大
A.更換更大規(guī)格的熔絲
B.更換同規(guī)格的新熔絲
C.更換略小規(guī)格的熔絲
D.更換相同規(guī)格的熔斷器和熔絲
A.電阻測(cè)量法
B.電阻短接法
C.電壓測(cè)量法
D.以上方法都可以
A.中性線的作用是使不對(duì)稱(chēng)負(fù)載得到對(duì)稱(chēng)的電流
B.中性線的作用是使不對(duì)稱(chēng)負(fù)載得到對(duì)稱(chēng)的電壓
C.中性線上能裝開(kāi)關(guān)
D.中性線能裝熔斷器
A.0.6
B.0.7
C.0.8
D.1
最新試題
如果要構(gòu)成n位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器,需用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的個(gè)數(shù)最少為()。
勻強(qiáng)磁場(chǎng)中各點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度的特點(diǎn)是()
單位相同的兩個(gè)物理量是()
容抗與正弦電流的頻率成反比,頻率越高,容抗越小,因此電容器對(duì)高頻電流阻礙作用較小。()
組成時(shí)序電路的各觸發(fā)器,具有統(tǒng)一的時(shí)鐘脈沖CP,稱(chēng)為同步時(shí)序電路。()
當(dāng)穿過(guò)線圈的磁通發(fā)生變化時(shí),線圈兩端感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小與之成正比的是()
兩個(gè)100Ω的電阻并聯(lián)后串聯(lián)一個(gè)50Ω的電阻,其阻值為()
單相變壓器的額定電壓400V,額定電流,50A額定容量()kVA。
當(dāng)電路參考點(diǎn)改變后,能夠改變的物理量是()
下列表達(dá)方式中,()不可以用來(lái)描述觸發(fā)器的邏輯功能。