試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

集成電容主要有幾種結(jié)構？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

MOS器件存在哪些二階效應？