集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

MOS器件存在哪些二階效應？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

版圖設計的基本前提是什么？

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。