集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。