單項(xiàng)選擇題由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲(chǔ)存電容
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1.多項(xiàng)選擇題集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過(guò)雜質(zhì)擴(kuò)散到襯底的特定區(qū)域中
2.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物
3.多項(xiàng)選擇題硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
A.SiO2
B.SiON
C.Si3N4
4.多項(xiàng)選擇題材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
A.導(dǎo)體
B.絕緣體
C.半導(dǎo)體
5.多項(xiàng)選擇題20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
A.真空管電子學(xué)
B.無(wú)線電通信
C.機(jī)械制表機(jī)
D.固體物理
最新試題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型：多項(xiàng)選擇題
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。
題型：多項(xiàng)選擇題
集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
題型：多項(xiàng)選擇題