多項(xiàng)選擇題按照導(dǎo)電溝道的不同,MOS管可分為()。

A.NMOS
B.PMOS
C.CMOS
D.DMOS
E.SMOS


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題對(duì)于TTL與非門(mén)閑置輸入端的處理,可以()。

A.接電源
B.通過(guò)電阻3kΩ接電源
C.接地
D.與有用輸入端并聯(lián)
E.接0V

2.多項(xiàng)選擇題OC門(mén)輸出端的公共集電極電阻的大小必須選擇恰當(dāng),因?yàn)椋ǎ?#8194;

A.RC過(guò)大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的高電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降
B.RC過(guò)大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的低電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降
C.RC過(guò)小則輸出低電平時(shí)將產(chǎn)生較大的灌電流
D.RC過(guò)小則輸出低電平時(shí)將產(chǎn)生較小的灌電流
E.RC很大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的低電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降

3.多項(xiàng)選擇題三態(tài)門(mén)的輸出狀態(tài)共有()。     

A.高電平
B.低電平
C.零電平
D.高阻
E.低阻

4.多項(xiàng)選擇題下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。 

A.雙極型數(shù)字集成門(mén)電路是以場(chǎng)效應(yīng)管為基本器件構(gòu)成的集成電路
B.TTL邏輯門(mén)電路是以晶體管為基本器件構(gòu)成的集成電路
C.CMOS集成門(mén)電路集成度高,但功耗較高
D.CMOS集成門(mén)電路集成度高,但功耗較低
E.TTL集成門(mén)電路集成度高,但功耗較低

5.多項(xiàng)選擇題()式是四變量A,B,C,D的最小項(xiàng)。

A.ABC
B.A+B+C+D
C.ABCD
D.A/BCD
E.ABD

最新試題

全國(guó)近()的停電事故都是因?yàn)橥饬ζ茐碾娋W(wǎng)引起的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

輸電線(xiàn)路相鄰檔的不均勻覆冰或線(xiàn)路不同期脫冰會(huì)產(chǎn)生張力差,導(dǎo)致導(dǎo)線(xiàn)縮頸和()以及使導(dǎo)線(xiàn)電氣間隙減少,發(fā)生閃絡(luò)。

題型:多項(xiàng)選擇題

分析電氣二次故障,尤其是分析電路()故障,常常需要找出回路中元件、導(dǎo)線(xiàn)及其連接方式,以此推斷或確定故障的可能原因和具體部位,這就是回路分析法。

題型:多項(xiàng)選擇題

一般配電保護(hù)型斷路器僅能做電動(dòng)機(jī)的短路保護(hù),由于這種配電型斷路器無(wú)躲過(guò)電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)電流的可返回特性,為了避免電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)時(shí)斷路器動(dòng)作,它的()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

可以采用與同類(lèi)完好設(shè)備進(jìn)行比較來(lái)確定故障的方法。例如一個(gè)線(xiàn)圈是否存在匝間短路,可以通過(guò)測(cè)量新的同型號(hào)線(xiàn)圈的()來(lái)判定。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列不是變壓器繞組接地或相間短路故障現(xiàn)象的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)()不用校驗(yàn)短路時(shí)的熱穩(wěn)定性。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

處理時(shí)間繼電器故障時(shí),測(cè)量繼電器的線(xiàn)圈,首先應(yīng)()是否正常。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

處理接觸器故障時(shí),檢查接觸器觸點(diǎn)磨損程度,如果輕微燒損,清理觸點(diǎn)時(shí)()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

為獲得不同的性能指標(biāo),力矩電動(dòng)機(jī)有()結(jié)構(gòu)形式。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題