如圖所示,電路中已知T1、T2均為硅管,UBE1=UBE2=0.7V,RC1=RC2=3.8KΩ,RB1=RB2=1KΩ,RE=5.1KΩ,VCC=1.5V,VEE=-12V,β1=β2=50 試計(jì)算: (1)靜態(tài)各種點(diǎn)的值; (2)差模電壓放大倍數(shù)、共模電壓放大倍數(shù)及共模抑制比; (3)差模輸入電阻、共模輸入電阻及輸出電阻。
由N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管組成的電路如下圖所示。設(shè)UGSQ=-0.2V, Gm=1.2ms。 試求: (1)電路中的靜態(tài)工作點(diǎn)IDQ和UGSQ之值 (2)畫(huà)出微變等效電路圖 (3)電壓放大倍數(shù)Áu (4)輸入電阻Ri和輸出電阻RO
如圖所示,放大電路中,已知VCC=15V,s=0.5KΩ,Rb1=40KΩ,Rb2=20KΩ,Rc=2KΩ,RE1=0.2KΩ,RE2=1.8KΩ,RL=2KΩ,β=50,UBE=0.7V。 試求: (1)電路的靜態(tài)工作點(diǎn) (2)畫(huà)出微變等效電路 (3)輸入電阻Ri和輸出電壓Ro (4)電壓放大倍數(shù)Au和源電壓放大倍數(shù)Aus