填空題MOSFET的漏極伏安特性中的三個(gè)區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時(shí)的輸出特性中的三個(gè)區(qū)域有對(duì)應(yīng)關(guān)系,其中前者的截止區(qū)對(duì)應(yīng)后者的()、前者的飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的()、前者的非飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的()。

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