A、材料晶粒粗大
B、聲速不均勻
C、聲阻抗變化大
D、以上全部
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A、保持靈敏度不變
B、適當(dāng)提高靈敏度
C、增加大折射角探頭探測(cè)
D、以上b和c
A、底波計(jì)算法
B、試塊法
C、通用AVG曲線法
D、以上都可以
A、斜平行掃查
B、串列掃查
C、雙晶斜探頭前后掃查
D、交叉掃查
A、探傷速度較快
B、在焦線長(zhǎng)度內(nèi)回波幅度隨缺陷長(zhǎng)度增大而提高
C、聚焦方法一般采用圓柱面透鏡或瓦片形晶片
D、以上全部
A、對(duì)短缺陷有較高探測(cè)靈敏度
B、聚焦方法一般采用圓柱面聲透鏡
C、缺陷長(zhǎng)度達(dá)到一定尺寸后，回波幅度不隨長(zhǎng)度而變化
D、探傷速度較慢
最新試題
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中，錯(cuò)誤的是（）。
對(duì)于圓柱導(dǎo)體的外通過(guò)式線圈，其阻抗變大的情況有（）
焊接工藝處理超標(biāo)缺陷必須閱片的主要目的是（）。
超差缺陷是否排除，由缺陷挖排人員挖排后直接提出申請(qǐng)、檢驗(yàn)蓋章認(rèn)可后送X光檢測(cè)。
對(duì)焊接接頭穩(wěn)定時(shí)間有規(guī)定的產(chǎn)品，工藝規(guī)程應(yīng)作出規(guī)定，檢驗(yàn)監(jiān)控確認(rèn)，檢驗(yàn)蓋章時(shí)穩(wěn)定時(shí)間不足者應(yīng)在申請(qǐng)單注明穩(wěn)定時(shí)間節(jié)點(diǎn)，否則X光室視為穩(wěn)定時(shí)間符合要求。
送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見(jiàn)的要求，經(jīng)表面檢驗(yàn)合格，申請(qǐng)單無(wú)需檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)。
點(diǎn)焊未熔合、脫焊等面狀缺陷最有效的檢測(cè)方法是X射線檢測(cè)。
X射線探傷室應(yīng)建立健全輻射安全管理制度及應(yīng)急預(yù)案。
射線檢測(cè)最有害的危險(xiǎn)源是（），必須嚴(yán)加控制。
對(duì)含有內(nèi)穿過(guò)式線圈的薄壁管，影響其阻抗變化的因素有（）