單項(xiàng)選擇題線(xiàn)形透度計(jì)應(yīng)放在（）。
A.遠(yuǎn)離射線(xiàn)源一側(cè)的工件表面上
B.靠近射線(xiàn)源一側(cè)的工件表面上
C.膠片暗盒表面上
D.A、B和C
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1.單項(xiàng)選擇題原子核的（）等于質(zhì)子數(shù)。
A.光子數(shù)
B.正電荷數(shù)
C.中子數(shù)+電子數(shù)
D.以上都不對(duì)
2.單項(xiàng)選擇題原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)相同，而（）數(shù)不同的元素叫做同位素。
A.分子
B.中子
C.電子
D.離子
3.單項(xiàng)選擇題放射性同位素60Co中的60叫做質(zhì)量數(shù)，其原子核中含有27個(gè)質(zhì)子和（）個(gè)中子。
A.27
B.33
C.60
D.87
4.單項(xiàng)選擇題底片的黑度取決于輻射強(qiáng)度和曝光時(shí)間的乘積，該反比定律在（）下失效。
A.射線(xiàn)直接曝光
B.采用熒光增感
C.采用鉛箔增感
D.以上都不對(duì)
5.單項(xiàng)選擇題未曝光膠片與鉛箔增感屏一起裝入暗盒攜帶到野外進(jìn)行射線(xiàn)照相作業(yè)，野外環(huán)境氣溫高達(dá)39℃，在強(qiáng)烈陽(yáng)光的較長(zhǎng)時(shí)間照射下，底片上會(huì)發(fā)生（）。
A.感光速度增高
B.黑度增大
C.灰霧度增大
D.漏光
最新試題
鑄件熒光滲透檢測(cè)時(shí)，（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
滲透檢測(cè)工藝對(duì)顯像操作的要求有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
顯影斑紋呈黑色條狀或?qū)拵?，在整張底片范圍出現(xiàn)，其產(chǎn)生的原因是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
非熒光磁粉檢測(cè)時(shí)，可見(jiàn)光照度不小于1000lx，并應(yīng)避免（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
超聲波檢測(cè)發(fā)現(xiàn)缺陷，在不同的方向上檢測(cè)，缺陷回波呈現(xiàn)此起比伏互相彼連的狀態(tài)，判定為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
單晶體金屬特點(diǎn)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
與一次射線(xiàn)相比，散射線(xiàn)的（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
用雙晶探頭檢測(cè)時(shí)，為增加缺陷顯現(xiàn)次數(shù)和反射幅度，檢測(cè)細(xì)長(zhǎng)缺陷應(yīng)使探頭（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
化學(xué)反應(yīng)型著色滲透劑的特點(diǎn)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
潤(rùn)濕是受檢表面附著的氣體被滲透液體所取代的現(xiàn)象，發(fā)生潤(rùn)濕時(shí)（）。
題型：多項(xiàng)選擇題