A.34mm
B.63mm
C.45mm
D.以上都不對(duì)
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A、27mm
B、21mm
C、38mm
D、以上都不對(duì)
A、5.6°
B、3.5°
C、6.8°
D、24.6°
A、2.5MHZ
B、5MHZ
C、4MHZ
D、2MHZ
A.頻率增加,晶片直徑減小而減小
B.頻率或晶片直徑減小而增大
C.頻率或晶片直徑減小而減小
D.頻率增加,晶片直徑減小而增大
A、橫波衰減比縱波嚴(yán)重
B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大
C、當(dāng)晶粒度大于波長(zhǎng)1/10時(shí)對(duì)探傷有顯著影響
D、提高增益可完全克服衰減對(duì)探傷的影響
最新試題
缺陷的定量包括缺陷大小和數(shù)量的確定,而缺陷的大小可由缺陷的面積或()來(lái)表征。
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí),下面敘述中()是錯(cuò)誤的。
超聲檢測(cè)儀盲區(qū)是指()。
()可以檢測(cè)出與探測(cè)面相垂直的面狀缺陷。
測(cè)長(zhǎng)法是根據(jù)測(cè)長(zhǎng)缺陷回波高度變化與探頭移動(dòng)位置的相互關(guān)系來(lái)確定缺陷尺寸的。按規(guī)定的方法測(cè)得的缺陷長(zhǎng)度稱為缺陷的()。
用折射角β的斜探頭進(jìn)行檢測(cè),儀器顯示缺陷的聲程為S,則缺陷的水平距離l為()。
超聲波儀時(shí)基線的水平刻度與實(shí)際聲程成正比的程度,即()。
超聲檢測(cè)系統(tǒng)的靈敏度余量()。
在對(duì)缺陷進(jìn)行定量前,必須先調(diào)節(jié)()。
()是影響缺陷定量的因素。