A.在擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)中，只有注入的少子存在很大的濃度梯度，因此擴(kuò)散電流主要是由少子貢獻(xiàn)。
B.非晶硅對(duì)可見光譜的吸收很強(qiáng)，是晶硅的500倍，整個(gè)太陽光譜中的吸收系數(shù)也為單晶硅的40倍，因此非晶硅電池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅電池都是由pn結(jié)構(gòu)成的，因此它們的基本結(jié)構(gòu)是相同的。
D.與晶體硅電池相比，非晶硅電池中存在光誘導(dǎo)退化效應(yīng)（S-W效應(yīng)），但其光電轉(zhuǎn)化效率隨溫度升高下降較慢。
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A.梳狀電極→減反膜→n型硅→p型硅→反電極
B.梳狀電極→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
C.梳狀電極→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→導(dǎo)電玻璃
D.梳狀電極→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS
A.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極→制作減反射膜
B.表面處理→擴(kuò)散制結(jié)→制作絨面→制作減反射膜→制作電極
C.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作減反射膜→制作電極
D.表面處理→制作減反射膜→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極
A.隨著溫度的升高，短路電流密度升高，開路電壓下降，但光電轉(zhuǎn)換效率下降。
B.溫度對(duì)開路電壓的影響明顯大于對(duì)短路電流的影響。
C.光照強(qiáng)度對(duì)短路電流的影響明顯大于對(duì)開路電壓的影響。
D.與晶硅太陽能電池相比，GaAs太陽能電池的禁帶寬度較大，所以晶硅太陽能電池具有更好的溫度特性。
A.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度相差較大時(shí)，反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側(cè)貢獻(xiàn)。
B.在一定溫度下，與Si材料相比，GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度，所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度越高，越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導(dǎo)體中的載流子壽命、擴(kuò)散長度、導(dǎo)帶價(jià)帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關(guān)。賦予他們恰當(dāng)值可以得到較大的VOC。
A.19.2℅
B.17.6℅
C.15.6℅
D.20.3℅
最新試題
正弦脈寬調(diào)制技術(shù)（SPWM）是通過對(duì)半導(dǎo)體開關(guān)器件的導(dǎo)通和關(guān)斷進(jìn)行控制，使輸出端得到一系列幅值相等而寬度不相等的脈沖，用這些脈沖來代替正弦波或其他所需要的波形。
光伏系統(tǒng)在沒有任何外來能源的情況下負(fù)載仍能正常工作的天數(shù)稱為（）
太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，存儲(chǔ)光伏發(fā)電系統(tǒng)的電能，并在日照量不足、夜間以及應(yīng)急狀態(tài)時(shí)給負(fù)載供電的設(shè)備是（）。
半導(dǎo)體中的價(jià)電子必須獲得一定的能量被激發(fā)到（）才具有導(dǎo)電能力。
下列對(duì)集中式光伏電站描述不正確的是（）
用以防止太陽能電池方陣在不發(fā)電時(shí)，蓄電池的電流反過來向組件或方陣倒送的器件是（）
在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，為了延長蓄電池的壽命，利用（）對(duì)蓄電池過放電、過充電、深度充電、負(fù)載過流和反充電等情況加以限制。
以下太陽能電池片的制造工序中，以減少光的反射為目的的工序是（）
地球只能接收到太陽總輻射能量的（）分之一。
（）是多晶硅生產(chǎn)過程中最大的有害副產(chǎn)物，它是一種具有強(qiáng)腐蝕性的有毒有害液體。