填空題晶體硅片蝕刻清洗的生產(chǎn)工藝有酸性蝕刻和堿性蝕刻兩種，其中酸性蝕刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸當(dāng)緩沖劑，一般去除約10-20µm厚的表面層。

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3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于多晶硅和非晶硅電池，以下說法錯誤的是（）

A.在擴(kuò)散運(yùn)動中，只有注入的少子存在很大的濃度梯度，因此擴(kuò)散電流主要是由少子貢獻(xiàn)。
B.非晶硅對可見光譜的吸收很強(qiáng)，是晶硅的500倍，整個太陽光譜中的吸收系數(shù)也為單晶硅的40倍，因此非晶硅電池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅電池都是由pn結(jié)構(gòu)成的，因此它們的基本結(jié)構(gòu)是相同的。
D.與晶體硅電池相比，非晶硅電池中存在光誘導(dǎo)退化效應(yīng)（S-W效應(yīng)），但其光電轉(zhuǎn)化效率隨溫度升高下降較慢。

4.單項(xiàng)選擇題非晶硅太陽能電池的基本構(gòu)造是下列的哪種？（）

A.梳狀電極→減反膜→n型硅→p型硅→反電極
B.梳狀電極→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
C.梳狀電極→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→導(dǎo)電玻璃
D.梳狀電極→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS

5.單項(xiàng)選擇題單晶硅電池的制造工藝主要流程為（）

A.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極→制作減反射膜
B.表面處理→擴(kuò)散制結(jié)→制作絨面→制作減反射膜→制作電極
C.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作減反射膜→制作電極
D.表面處理→制作減反射膜→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極

6.單項(xiàng)選擇題以下有關(guān)晶硅太陽能電池的溫度和光照特性說法錯誤的是（）

A.隨著溫度的升高，短路電流密度升高，開路電壓下降，但光電轉(zhuǎn)換效率下降。
B.溫度對開路電壓的影響明顯大于對短路電流的影響。
C.光照強(qiáng)度對短路電流的影響明顯大于對開路電壓的影響。
D.與晶硅太陽能電池相比，GaAs太陽能電池的禁帶寬度較大，所以晶硅太陽能電池具有更好的溫度特性。

7.單項(xiàng)選擇題關(guān)于反向飽和電流密度，以下說法中錯誤的是（）

A.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度相差較大時，反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側(cè)貢獻(xiàn)。
B.在一定溫度下，與Si材料相比，GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度，所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度越高，越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導(dǎo)體中的載流子壽命、擴(kuò)散長度、導(dǎo)帶價帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關(guān)。賦予他們恰當(dāng)值可以得到較大的VOC。