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填空題對(duì)于a-Si：H系，其物性上的最大特點(diǎn)是（）通常為1.7—1.8ev，比結(jié)晶要寬，結(jié)構(gòu)混亂引起的光學(xué)躍遷動(dòng)量守恒定律的緩和作用，使其在可見光范圍內(nèi)具有相當(dāng)大的光吸收系數(shù)。

1.填空題a-Si：H以及合金材料，用（）、熱CVD、光CVD等氣相生長(zhǎng)法可以制造薄膜。

2.問(wèn)答題多晶硅太陽(yáng)能電池的高效率化技術(shù)有哪些？

3.問(wèn)答題異質(zhì)基片上高品質(zhì)疊層的多晶硅型薄膜技術(shù)有幾種方法？

目前廣泛有：化學(xué)氣相沉積法（CVD.、液相外延法（LPE.、固相結(jié)晶化法（SPC.

4.問(wèn)答題在多晶硅電池片上用等離子體進(jìn)行的化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)的氮化硅膜會(huì)產(chǎn)生哪兩種效果？

5.問(wèn)答題多晶硅鑄模的制造成技術(shù)有哪些？

6.填空題目前正在廣泛研究的有化學(xué)氣相沉積法、（）、固相結(jié)晶、等。

7.填空題結(jié)晶硅具有（）型能帶結(jié)構(gòu)，因此吸收系數(shù)較小，有必要進(jìn)行封閉，活性層的厚度為數(shù)µm的薄膜太陽(yáng)能電池也可得到高的轉(zhuǎn)換效率。

8.填空題干式法由于應(yīng)力自由，因此即可以適用于切割大面積基片，又可以適用于（）的過(guò)程。

9.填空題多晶硅表面的結(jié)晶面是多重的，因此不能像單晶硅基片那樣，使用（）的不同方向腐蝕的化學(xué)蝕刻方法。

10.填空題由于有漏電電流流動(dòng)，使所謂的反向飽和電流密度（），從而減少了開路電壓。