A、對于同一檢驗批只進行一組試驗的檢驗項目,應將試驗結果作為檢驗結果
B、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應取所有組試驗結果中的最小值作為檢驗結果
C、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應取所有組試驗結果中的最大值作為檢驗結果
D、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應按不同的性能項目取所有組試驗結果中的最小值或最大值作為檢驗結果
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A、同一檢驗批砼的強度等級、齡期、生產(chǎn)工藝和配合比應相同
B、對于同一工程、同一配合比的砼,檢驗批不應少于一個
C、對于同一檢驗批,設計要求的各個檢驗項目應至少完成一組試驗
D、對于同一檢驗批,設計要求的各個檢驗項目應至少完成三組試驗
A、耐久性檢驗評定的項目及其等級應根據(jù)施工要求確定
B、對于需要進行耐久性檢驗評定的砼,其強度應滿足設計要求
C、耐久性檢驗評定的依據(jù)是《砼強度檢驗評定標準》GB/T50107-2010標準
D、耐久性檢驗評定的項目及其等級應根據(jù)設計要求確定
A、抗氯離子滲透性能
B、劈裂抗拉性能
C、抗碳化性能
D、早期抗裂性能
A、因素分析法
B、統(tǒng)計法
C、加權比例法
D、非統(tǒng)計法
A、強度等級相同
B、強度試驗齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列是晶體的是()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()