A、稠度
B、凝結時間
C、碳化深度
D、泌水率
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A、同一檢驗批只進行一組試驗時,應將試驗結果作為檢驗結果
B、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最小值作為檢驗結果
C、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最大值作為檢驗結果
D、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的平均值作為檢驗結果
A、同一檢驗批只進行一組試驗時,應將試驗結果作為檢驗結果
B、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最小值作為檢驗結果
C、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最大值作為檢驗結果
D、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的平均值作為檢驗結果
A、對于同一檢驗批只進行一組試驗的檢驗項目,應將試驗結果作為檢驗結果
B、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應取所有組試驗結果中的最小值作為檢驗結果
C、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應取所有組試驗結果中的最大值作為檢驗結果
D、對于同一檢驗批進行了一組以上試驗的檢驗項目,應按不同的性能項目取所有組試驗結果中的最小值或最大值作為檢驗結果
A、同一檢驗批砼的強度等級、齡期、生產(chǎn)工藝和配合比應相同
B、對于同一工程、同一配合比的砼,檢驗批不應少于一個
C、對于同一檢驗批,設計要求的各個檢驗項目應至少完成一組試驗
D、對于同一檢驗批,設計要求的各個檢驗項目應至少完成三組試驗
A、耐久性檢驗評定的項目及其等級應根據(jù)施工要求確定
B、對于需要進行耐久性檢驗評定的砼,其強度應滿足設計要求
C、耐久性檢驗評定的依據(jù)是《砼強度檢驗評定標準》GB/T50107-2010標準
D、耐久性檢驗評定的項目及其等級應根據(jù)設計要求確定
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
在通常情況下,GaN呈()型結構。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
硅片拋光在原理上不可分為()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
下列是晶體的是()。