判斷題蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。
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1.多項選擇題在酸性氯化銅蝕刻液體系的再生方法中,由于氯氣是強氧化劑,直接通氯氣是再生的最好方法。是因為()。
A.成本低
B.再生速率快
C.無污染
D.設(shè)備簡單
2.多項選擇題在酸性氯化銅蝕刻過程出現(xiàn)抗蝕劑破壞的原因可能有()。
A.溶液溫度過高
B.溶液被污染
C.顯影有余膠
D.傳遞速度過快
3.多項選擇題影響等離子體蝕刻特性好壞的因素包括以下幾個方面()。
A.等離子體蝕刻系統(tǒng)的形態(tài)
B.等離子體蝕刻的參數(shù)
C.光刻膠
D.待蝕刻薄膜的淀積參數(shù)條件
4.多項選擇題濕法蝕刻具有以下哪些缺點()。
A.化學藥品處理時人員會遭遇的安全問題
B.反應溶液及去離子水需花費較高成本
C.光刻膠會產(chǎn)生附著性問題
D.蝕刻不均勻
5.多項選擇題干法蝕刻通常指利用輝光放電方式,產(chǎn)生等離子體來進行圖案轉(zhuǎn)移的蝕刻技術(shù)。其中等離子體含有()。
A.離子、電子
B.中性原子
C.分子
D.自由基
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