A.對(duì)比度好
B.分辨率高
C.成像速度慢
D.可以動(dòng)態(tài)成像
E.視野大
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.可見光
B.電子空穴對(duì)
C.熒光
D.正電子
E.低能X射線
A.非晶硒
B.非晶硅
C.光激勵(lì)熒光體
D.光電倍增管
E.CCD
A.CCD相機(jī)
B.非晶硅
C.非晶硒
D.光電二極管
E.閃爍體
A.影像板
B.平板探測(cè)器
C.光敏照相機(jī)
D.平面回波序列
E.直接數(shù)字X線攝影
A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR
A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP
A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵(lì)熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線
A.1:102
B.1:103
C.1:104
D.1:105
E.1:106
A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識(shí)別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器
A.1分鐘
B.1小時(shí)
C.8小時(shí)
D.12小時(shí)
E.24小時(shí)
最新試題
關(guān)于IP的敘述錯(cuò)誤的是()
CR的圖像處理功能,不包括()
CR圖像與X線成像比較,哪項(xiàng)表述不正確()
關(guān)于平板探測(cè)器的敘述,錯(cuò)誤的是()
直接數(shù)字化X射線攝影采用多少位的圖像數(shù)字化轉(zhuǎn)換()
數(shù)字化X射線成像系統(tǒng)的量子檢測(cè)率可達(dá)()
傳統(tǒng)X射線攝影其量子檢測(cè)效率僅為()
透過被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí),由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì),即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng),負(fù)電子跑向偏壓的正極,正電子跑向偏壓的負(fù)極,于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比,這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元,即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管,在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下,開關(guān)導(dǎo)通,把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大,送到A/D轉(zhuǎn)換器,從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。關(guān)于該平板探測(cè)器的敘述錯(cuò)誤的是()
多絲正比電離室探測(cè)器是()
直接數(shù)字化X射線攝影,硒物質(zhì)直接轉(zhuǎn)換技術(shù)X射線的吸收率高于間接轉(zhuǎn)換技術(shù)()