A.非晶硒
B.非晶硅
C.光激勵(lì)熒光體
D.光電倍增管
E.CCD
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D.平面回波序列
E.直接數(shù)字X線攝影
A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR
A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP
A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵(lì)熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線
A.1:102
B.1:103
C.1:104
D.1:105
E.1:106
A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識(shí)別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器
A.100~200nm
B.390~490nm
C.290~390nm
D.200~300nm
E.190~290nm
A.使用高能射線照射
B.使用電流消除殘存電荷
C.使用顯影液、定影液重寫
D.使用清水沖洗
E.使用強(qiáng)光照射消除數(shù)據(jù)
A.IP
B.FPD
C.光電倍增管
D.攝像機(jī)
E.非晶硒
最新試題
IP曝光后,應(yīng)在多長時(shí)間內(nèi)進(jìn)行信號(hào)讀?。ǎ?/p>
DR的中文全稱為()
CR的缺點(diǎn)有()
直接數(shù)字化X射線攝影,硒物質(zhì)直接轉(zhuǎn)換技術(shù)X射線的吸收率高于間接轉(zhuǎn)換技術(shù)()
DR使用的檢測裝置是()
關(guān)于該平板探測器的敘述錯(cuò)誤的是()
直接FPD可以由()直接獲得像素位置信息
CR的成像是利用()
關(guān)于CR攝影系統(tǒng)的影像板,以下說法不正確的是()
間接DR中,位于FPD頂層的是()