A.i、uL和/uC
B.i、u和uC
C.uL、u和uC
D.不確定
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圖10-70所示電路的時(shí)間常數(shù)τ為()us。
A.3
B.1.5
C.6
D.2
在圖10-69所示電路中,開(kāi)關(guān)S在t=0瞬間閉合,若uC(0-)=5V,則uL(0+)=()V。
A.0
B.-5
C.5
D.10
圖10-68所示電路在開(kāi)關(guān)S閉合后的時(shí)間常數(shù)r值為()。
A.2s
B.0.5s
C.50ms
D.1s
在圖10-67所示電路中,開(kāi)關(guān)S在位置1的時(shí)間常數(shù)為τ1,在位置2的時(shí)間常數(shù)為τ2,τ1和τ2的關(guān)系是()。
A.τ1=2τ2
B.τ1=τ2/2
C.τ1=τ2
D.τ1=τ22
圖10-66所示電路在達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后移動(dòng)R1上的滑動(dòng)觸點(diǎn),該電路將產(chǎn)生過(guò)渡過(guò)程。這是因?yàn)椋ǎ?/p>
A.電路發(fā)生換路
B.換路使C的電壓穩(wěn)態(tài)值發(fā)生變化
C.電路有儲(chǔ)能元件且發(fā)生換路
D.不確定
最新試題
電真空中無(wú)限長(zhǎng)、半徑為a的帶電圓筒上電荷面密度為σ(σ是常數(shù)),則圓筒內(nèi)與軸線相距r處的電場(chǎng)強(qiáng)度為()。
圖10-68所示電路在開(kāi)關(guān)S閉合后的時(shí)間常數(shù)r值為()。
在平行板電容器中,有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)(圖10-81),它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S/m,γ2=1×10-8S/m,極板面積S=0.66m2,每層介質(zhì)厚度d=0.6cm,則電容器的漏電導(dǎo)G=()S。
以點(diǎn)電荷Q所在點(diǎn)為球心,距點(diǎn)電荷Q的距離R處的電場(chǎng)強(qiáng)度E:()。
如圖10-75所不,兩無(wú)限大平行帶電平板,它們帶面密度為σ的異號(hào)電荷,兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電場(chǎng)強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為()。
如圖10-72所示,真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球,其電荷量為q,帶電球外的電場(chǎng)為()。
在R、L串聯(lián)電路中,激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生的電流響應(yīng)(零狀態(tài)響應(yīng))iL(t)中()。
如圖10-80所示,平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S/m,極板面積S=0.6m2,極板間距離d=3cm,則該電容器的漏電阻為()。
如圖10-78所示,一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì),內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm,外導(dǎo)體半徑R3=4cm,內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1,厚度為1cm,外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2,厚度為2cm,內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V(以外導(dǎo)體為參考點(diǎn))。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場(chǎng)強(qiáng)度相等,則外層2介質(zhì)上的電位差為()V。
圖10-63所示電路u(0-)=0V,uC2(0-)=10V,當(dāng)t圖10-63題10-110圖=0時(shí)閉合開(kāi)關(guān)S后,uC2應(yīng)為()V。以上各式中τ=2us。