電路如圖所示，設(shè)MOS管的參數(shù)為U_GS（th）=1V，I_DO =500uA。電路參數(shù)為V_DD=5V，－V_SS=－5V，R_d=10kΩ，R=0.5kΩ，I_DQ=0.5mA。若流過R_g1、R_g2的電流是I_DQ的1/10，試確定R_g1和R_g2的值。

已知圖（a）所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖（b）所示。求解電路的Q點和A_u。

兩個場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線分別如圖 （a）、（b）所示，分別確定這兩個場效應(yīng)管的類型，并求其主要參數(shù)（開啟電壓或夾斷電壓，低頻跨導(dǎo)）。測試時電流iD的參考方向為從漏極D到源極S。