單項選擇題關于空間電荷,下列哪一項不正確?()

A.空間電荷區(qū)的電阻率很高
B.PN結的內(nèi)電場是從P區(qū)指向N區(qū)的
C.由載流子濃度差引起的載流子運動,稱為擴散運動
D.漂移運動指的是電場作用所引起的載流子的運動


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1.單項選擇題關于N型半導體,下列哪項不正確?()

A.N型半導體,自由電子數(shù)是遠遠大于空穴數(shù)的
B.N型半導體中,自由電子是多子
C.N型半導體中,空穴是多子
D.N型半導體中的空穴主要由熱激發(fā)形成

2.單項選擇題關于空穴,下面哪一項不正確?()

A.半導體的導電能力是隨著溫度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一個帶正電的粒子,電量與電子相等
C.可以用空穴移動產(chǎn)生的電流來代替受束縛的電子移動產(chǎn)生的電流
D.硅的價電子比鍺的價電子越容易擺脫束縛(相同情況)

3.單項選擇題

電路如圖所示。求()。

A.R1/R2
B.R2/R1
C.-R1/R2
D.-R2/R1

4.單項選擇題

電路如圖所示。求()。

A.4
B.3
C.2
D.1

5.單項選擇題關于運放,以下哪個說法是正確的?()

A.輸出級是為了電壓的放大
B.有一個輸入端和一個輸出端
C.為了得到虛短和虛斷,需要引入負反饋
D.反相放大電路的等效輸入電阻為無窮大