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A.50
B.60
C.80
D.100
A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.飽和區(qū)
D.以上都可以
A.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏
B.發(fā)射結(jié),集電結(jié)均正偏
C.發(fā)射極,集電結(jié)均反偏
D.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏
A.正常
B.短路
C.斷路
D.被擊穿
最新試題
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為()。
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
一塊通用面包板,公共條是三?四?三分段連通型,那么這塊板上最多有()個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過(guò)電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
?某次電路實(shí)驗(yàn)中,一同學(xué)按如下電路圖連接電路,完成實(shí)驗(yàn)。其中D0,D1端為輸入端,S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0,S1端輸出電平分別為邏輯高電平,邏輯低電平。請(qǐng)問(wèn)此刻電路輸入端D0,D1電平可能分別為()。
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)??()
?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào),輸出信號(hào)為電流信號(hào),則以下描述正確的有()。?
用作電壓放大器時(shí),CS放大器不合適的參數(shù)為()。?