A.根據(jù)n=sini/sinr可知，介質(zhì)的折射率與入射角的正弦成正比
B.根據(jù)n=sini/sinr可知.介質(zhì)的折射率可能為任何正數(shù)
C.根據(jù)n=c/υ可知，介質(zhì)的折射率與介質(zhì)中的光速成反比
D.以上說法都不對(duì)
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A.像距變大，像變大
B.像距不變，像變大
C.像距變小，像變小
D.像距變大，像變小
A.在光屏上可以得到比物體大的實(shí)像
B.在光屏上可以得到比物體小的實(shí)像
C.在光屏上不可能得到像
D.在光屏上可以得到一個(gè)物體大的虛像
A.硬幣的實(shí)像，其位置比硬幣實(shí)際所在位置淺
B.硬幣的實(shí)像，其位置即硬幣的實(shí)際位置
C.硬幣的虛像，但位置比硬幣的實(shí)際位置淺
D.硬幣的虛像，其位置比硬幣的實(shí)際位置深
A.λD/nd
B.λnD/d
C.λd/nD
D.D/2nd
一束含兩種頻率的單色光，照射到底面有涂層的平行均勻玻璃磚上表面后，經(jīng)下表面反射從玻璃磚上表面射出后，光線分為a、b兩束，如圖所示，下列說法正確的是（）。
A.a、6可能是非平行光線
B.用同一裝置進(jìn)行雙縫干涉實(shí)驗(yàn)，a光的條紋間距大于b光的條紋間距
C.a光頻率大于b光的頻率
D.從同種玻璃射入空氣發(fā)生全反射時(shí)，a光的臨界角大
最新試題
新課程的核心理念是（）
如圖所示，一導(dǎo)體球A帶有正電荷，當(dāng)只有它存在時(shí)，它在空間P點(diǎn)產(chǎn)生的電場強(qiáng)度的大小為E，在A球球心與P點(diǎn)連線上有一帶負(fù)電的點(diǎn)電荷B，當(dāng)只有它存在時(shí)，它在空間P點(diǎn)產(chǎn)生的電場強(qiáng)度的大小為E，當(dāng)A、B同時(shí)存在時(shí)，根據(jù)場強(qiáng)疊加原理.P點(diǎn)的場強(qiáng)大小應(yīng)為（）
比荷為的電子以速度沿AB邊射入邊長為a的等邊三角形的勻強(qiáng)磁場區(qū)域中，如圖所示，為使電子從BC邊穿出磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度B的取值范圍為（）
舉例說明“教法”與“學(xué)法”有什么不同？
關(guān)于電磁學(xué)的知識(shí)，下列說法錯(cuò)誤的是（）
如圖，在光滑絕緣水平面上，三個(gè)帶電小球a、b和c分別位于邊長為Z的正三角形的三個(gè)頂點(diǎn)上；a、b帶正電，電荷量均為q，c帶負(fù)電；整個(gè)系統(tǒng)置于方向水平的勻強(qiáng)電場中。已知靜電力常量為k，若三個(gè)小球均處于靜止?fàn)顟B(tài)，則勻強(qiáng)電場場強(qiáng)的大小為（）
如圖，一半徑為R的圓盤上均勻分布著電荷量為Q的電荷，在垂直于圓盤且過圓心c的軸線上有a、b、d三個(gè)點(diǎn)，a和b、b和c、c和d間的距離均為R，在a點(diǎn)處有一電荷量為q（q>O）的固定點(diǎn)電荷，已知b點(diǎn)處的場強(qiáng)為零，則d點(diǎn)處場強(qiáng)的大小為（）（k為靜電力常量）
物理課上，老師做了一個(gè)奇妙的“跳環(huán)實(shí)驗(yàn)”。如圖，她把一個(gè)帶鐵芯的線圈L、開關(guān)S和電源用導(dǎo)線連接起來后，將一金屬環(huán)套置于線圈L上，且使鐵芯穿過套環(huán)，閉合開關(guān)S的瞬間，套環(huán)立刻跳起.某同學(xué)另找來器材再探究此實(shí)驗(yàn)，他連接好電路，經(jīng)重復(fù)試驗(yàn)，線圈上的套環(huán)僅顫動(dòng)一下，并不跳起，對(duì)比老師的演示實(shí)驗(yàn)，下列四個(gè)選項(xiàng)中，導(dǎo)致套環(huán)未跳動(dòng)的原因可能是（）
一個(gè)帶電粒子兩次以同樣的垂直于場線的初速度分別穿越勻強(qiáng)電場區(qū)和勻強(qiáng)磁場區(qū)，場區(qū)的寬度均為L，偏轉(zhuǎn)角度均為a，則E：B=（）
如圖所示，M，N和P是以MN為直徑的半圓弧上的三點(diǎn)，O點(diǎn)為半圓弧的圓心，∠MOP=60°。電荷量相等、符號(hào)相反的兩個(gè)點(diǎn)電荷分別置于M、N兩點(diǎn)，這時(shí)O點(diǎn)電場強(qiáng)度的大小為E1；若將N點(diǎn)處的點(diǎn)電荷移至P點(diǎn)，則O點(diǎn)的場場強(qiáng)大小變?yōu)镋2，E1與E2之比為（）