單項(xiàng)選擇題某些單晶體或多晶體陶瓷材料,在應(yīng)力作用下產(chǎn)生應(yīng)變時(shí)引起晶體電荷的不對(duì)稱分配,異種電荷向正反兩面集中,材料的晶體就產(chǎn)生電場(chǎng)和極化,這種現(xiàn)象稱為()。

A、正壓電效應(yīng)
B、逆壓電效應(yīng)
C、壓電常數(shù)
D、介電常數(shù)


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1.單項(xiàng)選擇題Z1≠Z2≠Z3時(shí),要使Z3有較高的透聲效果,Z3厚度應(yīng)為()。

A、1/2波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
B、1/2波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
C、1/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
D、1/4波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)

2.單項(xiàng)選擇題公式()為聲壓透射率的公式。

A、tp=1+rp
B、R=rp2
C、D=1-rp2
D、以上都不對(duì)

3.單項(xiàng)選擇題垂直入射時(shí),若Z1>Z2(即鋼材水浸探傷時(shí)工件底面的鋼/水界面),則鋼/水界面上聲壓透射率為()。

A、(Z2-Z1)/(Z1+Z2
B、2Z2/(Z1+Z2
C、4Z1×Z2/(Z1+Z22
D、[(Z2-Z1)/(Z1+Z2)]2

4.單項(xiàng)選擇題Z1≠Z2≠Z3時(shí),要使Z3有較高的透聲效果,Z3厚度應(yīng)為()。

A、1/2波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
B、1/2波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
C、1/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
D、1/4波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)

5.單項(xiàng)選擇題直探頭垂直掃查“矩形鍛件”時(shí),工件底面回波迅速降低或消失的原因是()。

A、底波被較大的面積性缺陷反射
B、底波被較小的單個(gè)球狀缺陷反射
C、底波的能量被轉(zhuǎn)換為電能而吸收
D、以上都可能

最新試題

渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的()具有較好的代表性,因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

各類渦流檢測(cè)儀器的工作原理和()是相同的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

各類渦流檢測(cè)儀器的()和結(jié)構(gòu)各不相同。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

掃查方式一般視試件的()而定。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題