單項選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是（）。

A.4HF+Si=SiF4+2H2↑
B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2↑
C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑
D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O


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1.單項選擇題磷硅玻璃的主要組成是（）和（）。

A.P，Si
B.P2O5，Si
C.P2O5，O2
D.P，SiO2

2.單項選擇題目前在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，最常用的儲能設(shè)備是（）。

A.堿性蓄電池
B.鋰離子電池
C.鎳鉻電池
D.鉛酸蓄電池

3.單項選擇題當PN結(jié)外加正向電壓時，擴散電流（）漂移電流，耗盡層（）。

A.大于，變寬
B.小于，變窄
C.大于，變窄
D.小于，變寬

4.單項選擇題在半導體中摻入五價磷原子后形成的半導體稱為（）。

A.本征半導體
B.P型半導體
C.N型半導體
D.化合物半導體