A.大功率晶體管GTR不會(huì)發(fā)生二次擊穿
B.功率MOSFET不會(huì)發(fā)生二次擊穿
C.二次擊穿可能使器件永久性損壞
D.二次擊穿的過(guò)程很短暫
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A.門(mén)極開(kāi)通電路
B.門(mén)極關(guān)斷電路
C.門(mén)極反偏電路
D.RCD吸收電路
A.電阻型
B.電感型
C.電流型
D.電壓型
A.單極型
B.雙極型
C.多極型
D.混合型
A.CMOS允許懸空
B.TTL不允許懸空
C.TTL允許懸空
D.CMOS不允許懸空
A.電源電壓極性不得接反，其額定值為5V
B.與非不使用的輸入端接“1”
C.與非門(mén)輸入端可以串有電阻器，但其值不應(yīng)大于開(kāi)門(mén)電阻
D.或非門(mén)不使用的輸入端接“0”
A.檢流計(jì)的指示值為零
B.相鄰橋臂電阻成比例，電橋才平衡
C.對(duì)邊橋臂電阻的乘積相等，電橋也平衡
D.四個(gè)橋臂電阻值必須一樣大小，電橋才平衡
A.理想的電壓源與電流源之間可以等效
B.要保持端鈕的極性不變
C.兩種模型中的電阻R0是相同的，但連接關(guān)系不同
D.兩種模型的等效是對(duì)外電路而言
A.二極管
B.三極管
C.晶閘管
D.場(chǎng)效應(yīng)管
A.電阻
B.電容
C.電感
D.二極管
A.工程管理器
B.實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)
C.I/O驅(qū)動(dòng)程序
D.數(shù)據(jù)服務(wù)
最新試題
4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的，計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為（）
uo與ui大小相等，相位相反，此時(shí)的電路稱(chēng)為反相器，或倒相器。
碼制即編碼體制，在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來(lái)表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。
集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算，涉及到了（）測(cè)量和自動(dòng)控制等方面
下列受時(shí)鐘控制的是（）
反相比例運(yùn)算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器，而其它各位觸發(fā)器都是，依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖，采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。
將任意一個(gè)無(wú)效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里，它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài)，那么也就是說(shuō)明，這個(gè)電路具有自起功能。
電壓比較器的功能是，將一個(gè)模擬量輸入電壓，與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較，并將比較的結(jié)果輸出，它廣泛應(yīng)用于（）等方面。
本征半導(dǎo)體是（），導(dǎo)電能力弱。