多項選擇題功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求是（）。

A.驅(qū)動信號的前后沿陡峭
B.驅(qū)動信號的電壓應(yīng)高于開啟電壓
C.信號電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓


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1.多項選擇題LEM模塊是快速過電流保護(hù)的理想器件，具有（）優(yōu)點。

A.直接測量原邊大電流，反應(yīng)快
B.可測量交流、直流和脈沖電流
C.與被測線路隔離
D.響應(yīng)速度快

2.多項選擇題功率晶體管的浪涌電壓吸收有（）形式。

A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路

3.多項選擇題以下集成電路（）是GTR的專用集成電路。

A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311

4.多項選擇題大功率晶體管GTR過電流保護(hù)有（）方式。

A.狀態(tài)識別保護(hù)法
B.RCD吸收保護(hù)法
C.LEM模塊保護(hù)法
D.橋臂互鎖保護(hù)法

5.多項選擇題關(guān)于二次擊穿，以下說法正確的是（）。

A.大功率晶體管GTR不會發(fā)生二次擊穿
B.功率MOSFET不會發(fā)生二次擊穿
C.二次擊穿可能使器件永久性損壞
D.二次擊穿的過程很短暫

6.多項選擇題可關(guān)斷晶閘管GTO的門極電路由（）組成。

A.門極開通電路
B.門極關(guān)斷電路
C.門極反偏電路
D.RCD吸收電路

7.多項選擇題根據(jù)控制信號的不同性質(zhì)，電力電子器件可分為（）。

A.電阻型
B.電感型
C.電流型
D.電壓型

8.多項選擇題按載流子參與導(dǎo)電的情況，電力電子器件可分為（）。

A.單極型
B.雙極型
C.多極型
D.混合型

9.多項選擇題TTL集成電路和CMOS集成電路對輸入端的空腳處理是（）。

A.CMOS允許懸空
B.TTL不允許懸空
C.TTL允許懸空
D.CMOS不允許懸空

10.多項選擇題TTL數(shù)字集成電路來說在使用中應(yīng)注意到（）。

A.電源電壓極性不得接反，其額定值為5V
B.與非不使用的輸入端接“1”
C.與非門輸入端可以串有電阻器，但其值不應(yīng)大于開門電阻
D.或非門不使用的輸入端接“0”