A.原子和中子
B.電子和空穴
C.電子和質(zhì)子
D.電子和離子
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A.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)反偏置
A.VD>0.5V,VD<0.7V
B.VD>0.7V,VD<0.5V
C.VD>0.7V,VD<0.7V
D.VD>0.5V,VD<0.5V
A.互非
B.對偶
C.相等
D.無任何關(guān)系
A.連續(xù)變化的
B.模擬
C.離散的
D.數(shù)字
A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾百微秒
D.幾十毫秒
A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾十毫秒
D.幾百毫秒
A.較高轉(zhuǎn)換精度
B.極強(qiáng)抗50HZ干擾
C.較快的轉(zhuǎn)換速度
D.較高分辨率
A.6
B.8
C.10
D.12
A.6
B.8
C.10
D.12
D.加法器
B.程控放大器
C.數(shù)—模轉(zhuǎn)換
D.波形發(fā)生電路
最新試題
用原碼輸出的譯碼器實現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個()。
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
以下代碼中為無權(quán)碼的為()。
一個兩輸入端的門電路,當(dāng)輸入為10時,輸出不是1的門電路為()
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點是消除了()對轉(zhuǎn)換精度的影響。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時輸入()路編碼信號。
試提出數(shù)字頻率計的三種設(shè)計方案,比較各種方案的特點。如果用HDPLD來實現(xiàn),設(shè)計方案是最佳嗎?簡述理由。
電可擦除的PROM器件是()
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?