A.多諧振蕩器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.施密特觸發(fā)器
D.JK觸發(fā)器
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A.555
B.556
C.7556
D.7555
A.速度快高
B.電路簡(jiǎn)單
C.振蕩頻率穩(wěn)定
D.輸出波形邊沿陡峭。
A.正弦波
B.矩形波
C.三角波
D.鋸齒波
A.多諧振蕩器
B.石英晶體振蕩器
C.施密特觸發(fā)器
D.555定時(shí)器
A.10
B.60
C.525
D.31500
最新試題
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入（）路編碼信號(hào)。
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)（）。
判斷如下VHDL的操作是否正確，如不正確，請(qǐng)改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT，c是INTEGER，執(zhí)行c＜=a+b。
TTL與非門(mén)輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。