單項(xiàng)選擇題用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
A.位
B.字
C.復(fù)合
D.位或字
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1.單項(xiàng)選擇題小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
A.2n
B.22n
C.＞22n
D.＜2n
2.單項(xiàng)選擇題如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
A.6
B.8
C.10
D.12
3.單項(xiàng)選擇題與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
A.網(wǎng)絡(luò)電阻精度
B.模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻
C.電流建立時(shí)間
D.加法器
最新試題
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
（）在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電可擦除的PROM器件是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象，如何避免空翻？
題型：?jiǎn)柎痤}
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題