A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
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A.4KΩ
B.5KΩ
C.10KΩ
D.20KΩ
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
A.4
B.10
C.1024
D.2
A.1
B.3
C.4
D.8
A.輸出端需接由運(yùn)放構(gòu)成的跟隨器
B.每個(gè)權(quán)電阻都接在相應(yīng)的開(kāi)關(guān)上
C.相鄰電阻的比值都是2倍的關(guān)系
D.相鄰電阻的比值都不是2倍的關(guān)系
A.計(jì)數(shù)器
B.編碼器
C.模擬式電壓表
D.數(shù)字式電位器
A.只取決于分辨率
B.基本上是量化誤差
C.與工作中的各個(gè)環(huán)節(jié)都有關(guān)系
D.往往不可預(yù)測(cè)
A.與非-與非表達(dá)式
B.或非-或非表達(dá)式
C.與—或—非表達(dá)式
D.標(biāo)準(zhǔn)與—或表達(dá)式
A.計(jì)算機(jī)
B.燒錄器
C.仿真器
D.開(kāi)發(fā)軟件
A.與運(yùn)算符
B.或運(yùn)算符
C.異或運(yùn)算符
D.求補(bǔ)運(yùn)算符
最新試題
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
以下哪個(gè)編碼不能是二-十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼()
DRAM4164有2根片選線(xiàn)(RAS和CAS)、8根地址線(xiàn)和1根數(shù)據(jù)線(xiàn)。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
電可擦除的PROM器件是()
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡(jiǎn)述理由。
TTL與非門(mén)輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線(xiàn)數(shù)n的關(guān)系一般為()
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門(mén),可以擴(kuò)展得到1個(gè)()線(xiàn)譯碼器。
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是()
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱(chēng)為()觸發(fā)器。