A.具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。
B.觸發(fā)方式為電平觸發(fā),適用與變化緩慢的信號(hào)。
C.具有一個(gè)穩(wěn)態(tài)和一個(gè)暫穩(wěn)態(tài)。
D.對(duì)正向和負(fù)向增長(zhǎng)的輸入信號(hào),電路有不同的閥值電平。
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A.功能相同,外形和管腳排列一致。
B.都使用單電源供電。
C.輸出為2/3VCC電平。
D.電源電壓變化對(duì)振蕩頻率和定時(shí)精度影響下
A.高電平
B.低電平
C.高低電平都有可能
D.無法確定
A.555在電路結(jié)構(gòu)上是由模擬電路和數(shù)字電路組合而成的。
B.555時(shí)基電路采用雙電源供電。
C.555可獨(dú)立構(gòu)成一個(gè)定時(shí)電路,且定時(shí)精度高。
D.555的最大輸出電流達(dá)200mA,帶負(fù)載能力強(qiáng)。
A.產(chǎn)生矩形波
B.產(chǎn)生延遲作用
C.實(shí)現(xiàn)定時(shí)功能
D.把緩慢信號(hào)變成矩形波
A.電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜
B.振蕩頻率低
C.頻率穩(wěn)定度低
D.抗干擾性強(qiáng)
最新試題
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個(gè)()。
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門,可以擴(kuò)展得到1個(gè)()線譯碼器。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在?
ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來實(shí)現(xiàn)()。
簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
電可擦除的PROM器件是()
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請(qǐng)說明理由。