A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子
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A．自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B．無(wú)論P(yáng)型還是N型半導(dǎo)體，自由電子、空穴都是導(dǎo)電介質(zhì)
C．對(duì)于P型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
D．對(duì)于N型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強(qiáng)度
D.摻雜非金屬元素
A．升高／升高
B．降低／降低
C．升高／降低
D．降低／升高
A．只存在一種載流子：自由電子
B．在二極管中，N型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線(xiàn)后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，分散三價(jià)元素，可形成N型半導(dǎo)體
D．在PNP型的晶體管中，基區(qū)正是由N型半導(dǎo)體構(gòu)成
A．空穴是多數(shù)載流子
B．在二極管中，P型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線(xiàn)后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，摻雜五價(jià)元素，可形成P型半導(dǎo)體
D．在NPN型的晶體管中，基區(qū)正是由P型半導(dǎo)體構(gòu)成
最新試題
在三極管基本放大電路中，測(cè)試發(fā)現(xiàn)靜態(tài)工作點(diǎn)已經(jīng)設(shè)置在放大區(qū)中央部分，但同時(shí)出現(xiàn)截止和飽和失真。這說(shuō)明（）。
可控硅導(dǎo)通的條件是（）。
可控硅關(guān)斷的條件是（）。
未引入負(fù)反饋的開(kāi)環(huán)工作的運(yùn)放一般工作于（）。
晶閘管導(dǎo)通后控制極電源線(xiàn)脫落，將產(chǎn)生的現(xiàn)象是（）。
在三極管基本放大電路中，由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不合適而出現(xiàn)截止失真。為了改善失真波形，方便的做法是應(yīng)（）。
對(duì)運(yùn)算放大器來(lái)說(shuō)，錯(cuò)誤的說(shuō)法是（）。
理想的運(yùn)算放大器應(yīng)具有的特性是（）。（Au開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù)，ri輸入電阻，r0輸出電阻）
對(duì)于單管共射極基本放大電路，若靜態(tài)工作點(diǎn)不合適，比較方便的做法是（）。
對(duì)于運(yùn)算放大器而言，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。