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單項(xiàng)選擇題缺陷對(duì)晶體的性能有重要影響，常見(jiàn)的缺陷為（）。

A.點(diǎn)缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.A+B+C

1.單項(xiàng)選擇題固溶體的特點(diǎn)是摻入外來(lái)雜質(zhì)原子后原來(lái)的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點(diǎn)陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無(wú)限之分，其中（）。

A.結(jié)構(gòu)相同是無(wú)限固溶的充要條件
B.結(jié)構(gòu)相同是無(wú)限固溶的必要條件，不是充分條件
C.結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件
D.結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件

2.單項(xiàng)選擇題形成固溶體后對(duì)晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響，主要表現(xiàn)為（）。

A.穩(wěn)定晶格
B.活化晶格
C.固溶強(qiáng)化
D.A+B+C

3.單項(xiàng)選擇題對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（）。

A.正離子空位
B.間隙負(fù)離子
C.負(fù)離子空位
D.A或B

4.單項(xiàng)選擇題對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（）。

A.負(fù)離子空位
B.間隙正離子
C.間隙負(fù)離子
D.A或B

5.單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)的（）是指在熱缺陷的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。

A.攀移
B.滑移
C.增值
D.減少