AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法。

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

本征光電導(dǎo)

通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

磁滯回線

光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

XPS只能檢測(cè)元素種類，無法標(biāo)定元素含量。