通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

敏化劑

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

非本征光電導(dǎo)

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

光生伏特效應(yīng)

激活劑

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。