使用硬件堆棧時(shí)，其中（）移動(dòng)。

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時(shí)沒(méi)有外加電源供電，使得RAM成為了（）。

軟件堆棧在工作中（）移動(dòng)。

刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。

計(jì)算機(jī)的I/O接口是（）之間的交接界面。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯(cuò)誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應(yīng)的邏輯電路組成的。（2）定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號(hào)位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算，其中（）加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡(jiǎn)單，電路實(shí)現(xiàn)也最方便。（3）執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要（），否則無(wú)法確定是否正確。（4）使用雙符號(hào)位執(zhí)行加減法運(yùn)算后，若兩個(gè)符號(hào)位不同，即出現(xiàn)01和10，表示運(yùn)算結(jié)果（）。（5）在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號(hào)位進(jìn)位，或符號(hào)位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出，可以用這兩個(gè)進(jìn)位輸出的（）操作來(lái)判斷。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.微指令地址B.控制存儲(chǔ)器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡(jiǎn)單G.復(fù)雜（1）微程序控制器是通過(guò)（）的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。（2）微程序控制器的控制信號(hào)被讀出后，還需經(jīng)過(guò)一個(gè)（）送到被控制部件。（3）相對(duì)硬連線控制器，微程序控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)（）。（4）為了獲得快一些的運(yùn)行速度，控制器部件應(yīng)選擇（）。（5）（）是微程序控制器的核心部件。

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫(xiě)出[X]反，正確結(jié)果為（）。