A.組織成分
B.組織內(nèi)磁場(chǎng)的均勻性
C.磁環(huán)境
D.外磁場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)
E.組織結(jié)構(gòu)
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A.有效質(zhì)子密度
B.T1值
C.T2值
D.TR
E.TE
A.TR
B.TE
C.平均次數(shù)
D.翻轉(zhuǎn)角度
E.層厚
A.脂肪抑制技術(shù)
B.磁化傳遞技術(shù)
C.預(yù)飽和技術(shù)
D.梯度運(yùn)動(dòng)相位重聚技術(shù)
E.心電門(mén)控技術(shù)
A.三維時(shí)間飛越法(3D-TOF)
B.二維時(shí)間飛越法(2D-FTOF)
C.三維相位對(duì)比法(3D-PC)
D.二維相位對(duì)比法(2D-PC)
E.“黑血”技術(shù)
A.質(zhì)子密度
B.回波時(shí)間
C.流空效應(yīng)
D.T2值
E.T1值
A.極低場(chǎng)MRI的磁場(chǎng)強(qiáng)度≤0.04T
B.低場(chǎng)MRI的磁場(chǎng)強(qiáng)度0.1~0.38T
C.中場(chǎng)MRI的磁場(chǎng)強(qiáng)度0.3~1.0T
D.高場(chǎng)MRI的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍≥1.5T
E.高場(chǎng)MRI的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍≥2.0T
A.高速信號(hào)丟失
B.渦流
C.奇數(shù)回波失相
D.偶數(shù)回波復(fù)相
E.流入性增強(qiáng)效應(yīng)
A.激發(fā)脈沖角度
B.TR
C.TE
D.平均次數(shù)
E.矩陣大小
A.高速信號(hào)丟失
B.奇數(shù)回波失相
C.偶數(shù)回波復(fù)相
D.舒張期假門(mén)控
E.流入性增強(qiáng)效應(yīng)
A.血管:TWI及TWI均為低信號(hào)
B.咽旁間隙:TWI及TWI均為高信號(hào)
C.鼻咽喉粘膜:TWI中等信號(hào),TWI為較高信號(hào)
D.咀嚼肌、頭長(zhǎng)?。篢WI中等信號(hào),TWI略低信號(hào)
E.咽喉部氣體:TWI及TWI均為低信號(hào)
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