ICP進樣裝置的性能對光譜儀的分析性能影響不大。

簡述等離子體發(fā)射光譜法的分析原理。

等離子發(fā)射光譜通常由化學火焰、電火花、電弧、激光和（）激發(fā)而獲得。

ICP發(fā)射光譜技術(shù)具有靈敏度高、精密度高、基體干擾少、線性范圍寬和可以（）同時分析的優(yōu)點。

等離子體是目前最廣泛應用的原子發(fā)射光譜光源，主要包括（）、（）和（）。

簡述電感耦合高頻等離子焰炬的特點。

電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法（簡稱ICP-AES），是以電感耦合等離子炬為激發(fā)光源的一類光譜分析方法。

ICP炬管是由石英制成的（）層同心管組成。

電感耦合等離子體焰炬自下而上溫度逐漸升高。

ICP儀炬管的外管進（），中管進（），內(nèi)管進（）。