A.1倍
B.3倍
C.6倍
D.9倍
E.16倍
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A.劑量建成區(qū)
B.低劑量坪區(qū)
C.高劑量坪區(qū)
D.劑量跌落區(qū)
E.X射線污染區(qū)
A.W=2rSin(β/2)/[1-(f/r)Cos(β/2)]
B.W=2rSin(β/2)/[1-(r/F.Cos(β/2)]
C.W=2rSin(f/2)/[1-(r/F.Cos(β/2)]
D.W=2rSin(β/2)/[1-(r/F.Cos(f/2)]
E.W=2rCos(β/2)/[1-(r/F.Sin(β/2)]
A.2.3
B.2.4
C.3.4
D.4.3
E.4.4
A.2.3
B.2.4
C.3.4
D.4.3
E.4.4
A.X射線準(zhǔn)直器;電子束準(zhǔn)直器
B.X射線準(zhǔn)直器;體表限束器
C.電子束準(zhǔn)直器;X射線準(zhǔn)直器
D.電子束準(zhǔn)直器;體表限束器
E.體表限束器;X射線準(zhǔn)直器
最新試題
百分深度劑量受照射野面積的影響。
治療證實是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證,包括驗證記錄系統(tǒng),射野影像系統(tǒng),活體劑量測量系統(tǒng)。
光電效應(yīng)時入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。
質(zhì)子束的優(yōu)勢在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
直線加速器使用的射野最大為()。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。